Главная / Аппаратное обеспечение / Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков

Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков - ответы на тесты Интуит

Правильные ответы выделены зелёным цветом.
Все ответы: Из огромного объема информации – десятков тысяч публикаций, посвященных наноэлектронной элементной базе информатики (далее НЭБИ) за последние 15-20 лет, – авторами отобрано, систематизировано и структурировано только самое существенное.

Смотрите также:

Нанотехнологии

Вычислите длину волны де Бройля для электронов с энергией 100 эВ. Ответ (в пм) введите в виде целого числа.

123

Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек math

, длина каждого бита на дорожке math

и расстояние между дорожками math

= 200 нм,

= 500 нм.

(1) 7,14*10⁸ бит/см²

(2) 7,18*10⁸ бит/см²

(3) 7,25*10⁸ бит/см²

На рисунке показана наноархитектура магнитного покрытия дисков в накопителях с "перпендикулярной" записью информации. Какие элементы покрытия обозначены здесь указанными номерами? Какую функцию они выполняют? 1 и 2? files

(1) защитный слой, защищает рабочие слои от влияния внешней среды и от механических повреждений

(2) магнитожесткий слой с осью легкого намагничивания, ориентированной перпендикулярно к плоскости слоя, именно в нем записывается, сохраняется и считывается информация

(3) промежуточные слои с тщательно подобранным химическим составом, которые позволяют минимизировать внутренние магнитострикционные напряжения в системе

(4) антиферромагнитный слой, нужен для магнитной развязки соседних противоположно намагниченных слоев

Рассчитайте степень поляризации электрического тока в ферромагнетике, если составляющая math

этого тока, переносимая электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля, в math

раз превышает составляющую math

этого тока, переносимую электронами со спином, ориентированным против магнитного поля.

(1) 33,3%

(2) 50%

(3) 66,7%

(4) 81,8%

(5) 89,5%

Оцените плотность (в Мбит/см²) записи информации в магниторезистивном ОЗУ 2-го поколения, в котором ключевые транзисторы имеют размеры: math

(1) 800 Мбит/см²

(2) 830 Мбит/см²

(3) 1660 Мбит/см²

(4) 2600 Мбит/см²

(5) 7400 Мбит/см²

Рассчитайте массу (в мг) золота в пленке толщиной 85 нм и площадью 4х6 см². Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

3,9

Вычислите относительное эффективное сечение взаимодействия наночастицы с электромагнитной волной на резонансной частоте, если радиус наночастицы 100 нм, длина волны math

= 750 нм, материал – золото ( math

= –23;

= 1,3)

495

Рассчитайте кулоновский потенциал (мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ( math

) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным. math

Какую логическую функцию выполняет приведенная на рисунке схема из КМДП логических элементов NOR и NAND? files

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

Сколько транзисторов входят в состав матрицы статической оперативной памяти на 16 кбит? (ответ укажите в тысячах).

Какая скорость преобразования аналоговых сигналов в цифровые коды с использованием АЦП конвейерного типа нужна: при считывании видеосигналов с 15-мегапиксельной фоточувствительной матрицы с частотой 36 кадров/с? (ответ укажите в миллионах)

540

Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы math

при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости. math

(1) меньше 24 нм math

(2) меньше 26 нм math

(3) меньше 27 нм math

Каждые "завоеванные" дополнительные 10 ГГц частотного диапазона позволяют каждую секунду передавать/принимать дополнительно 1 Гбит информации. С помощью биполярных гетеротранзисторов на основе фосфида индия частоту радиосигналов в канале связи удалось повысить от 175 ГГц до 350 ГГц. На скольк Гбит/с возросла скорость передачи данных в этом канале? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

17,5

Вычислите длину волны де Бройля для протонов с энергией 1 кэВ. Ответ (в пм) введите с точностью до одного знака после запятой.

0,9

Представьте плотность записи информации на магнитный диск, заданную в единицах "бит/дюйм²", в единицах "бит/см²" или наоборот. 4,6*10⁹ бит/дюйм².

(1) 7,13*10⁸ бит/см²

(2) 7,16*10⁸ бит/см²

(3) 7,20*10⁸ бит/см²

На рисунке показана структура магнитной головки в накопителях с "перпендикулярной" записью информации. Какие функциональные элементы обозначены здесь указанными номерами? Какую функцию они выполняют? 1 и 5? files

(1) магнитные экраны, ослабляют влияние посторонних магнитных полей

(2) тонкое плечо магнитной записывающей головки, с помощью которого выполняется запись бита

(3) обмотка, магнитопровод индуктивной записывающей головки

(4) магниторезистивная считывающая головка

Во сколько раз составляющая math

электрического тока в ферромагнетике, переносимая электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля, превышает составляющую math

этого тока, переносимую электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, если степень поляризации этого тока math

(1) в 1,35 раза

(2) в 2,33 раза

(3) в 4 раза

(4) в 9 раз

(5) в 39 раз

Какова продолжительность периода считывания информации в трековой памяти, если скорость перемещения доменов в ферромагнитной нанопроволоке составляет math

, а длина каждого домена math

(1) 1 нс

(2) 750 пс

(3) 500 пс

(4) 360 пс

(5) 160 пс

Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества триметилгаллия, требуемую для химического осаждения пленки GaAs толщиной 40 нм и площадью 4х6 см² с использованием реакции

(CH_3)_3Ga+AsH_3\rightarrow GaAs\downarrow+3CH_4\uparrow.

405

Вычислите коэффициент усиления напряженности электрического поля света в окрестности наночастицы на расстоянии 1 нм от ее поверхности в условиях локализованного плазмонного резонанса, если радиус наночастицы 100 нм, мнимая часть ее диэлектрической постоянной math

= 1,3, диэлектрическая постоянная среды math

= 3,2. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

7,43

Рассчитайте электрический потенциал наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ( math

) и заданных напряжениях на затворе ( math

) и между истоком и стоком ( math

). Будет ли происходить в этих условиях туннелирование электрона из истока на наноостровок? math

(1) 60 мВ; будет

(2) 70 мВ; не будет

(3) 80 мВ; будет

(4) 60 мВ; не будет

(5) 70 мВ; будет

(6) 80 мВ; не будет

Считая, что все транзисторы КМДП логического элемента NOR или NAND вместе с межсоединениями можно разместить в пределах прямоугольника размером 25 х 40 проектно-технологических норм (ПТН), рассчитайте приблизительную плотность компоновки таких логических элементов на кристалле кремния: при ПТН 130 нм

(1)

59 тыс. лог. элементов/мм²

(2)

60 тыс. лог. элементов/мм²

(3)

50 тыс. лог. элементов/мм²

(4)

58 тыс. лог. элементов/мм²

(5)

52 тыс. лог. элементов/мм²

(6)

51 тыс. лог. элементов/мм²

Сколько транзисторов входят в состав матрицы динамической памяти на 64 кбита? (ответ укажите в тысячах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

65,5

Во сколько раз возрастет частота собственных колебаний упругой микроэлектромеханической перекладины, если: ее толщину и длину уменьшить в 1,5 раза? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

1,5

Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий math

в смешанных кристаллах math

от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: math

. Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.

1,483

Для передачи одного канала цифрового телевидения высокой четкости (HD канала) нужна полоса частот 125 МГц,. С помощью наноэлектронных гетеротранзисторов максимальную частоту модуляции сигналов в волоконно-оптическом кабеле связи удалось повысить от 75 ГГц до 225 ГГц. Сколько HD каналов телевидения теоретически можно теперь дополнительно передавать через этот кабель?

1200

Какие размеры имеет изображение вирусов в растровом электронном микроскопе, если их натуральный размер составляет 50 нм, а увеличение равно 60000х? Ответ введите в мм.

Рассчитайте период расположения магнитных дорожек (в нм), если известны длина каждого бита на дорожке math

= 390 нм и плотность записи информации на магнитный диск math

= 2,3*10⁹ бит/дюйм².

719

При использовании технологии локального нагрева участка записи последний проходит под лазерным нагревателем на протяжении короткого времени. Рассчитайте время (в нс) нагрева при условиях если скорость вращения магнитного диска составляет 5400 оборотов/мин., радиус магнитной дорожки 25 мм, а ширина лазерного пучка 680 нм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

48,1

Рассчитайте магнитный спин-ток, переносимый в ферромагнетике спин-поляризованным электрическим током math

со степенью поляризации math

(1) –46,4 нВт/Тл

(2) –1,04 мкВт/Тл

(3) –10,9 мкВт/Тл

(4) –27,8 мкВт/Тл

(5) –34,8 нВт/Тл

Рассчитайте поверхностную плотность (в Гбит/см²) хранения информации в "объемной" трековой памяти, если высота ферромагнитных нанопроволок U-образной формы составляет math

, длина доменов math

, а период их расположения в строках math

и в столбиках math

(1) 50 Гбит/см²

(2) 110 Гбит/см²

(3) 208 Гбит/см²

(4) 444 Гбит/см²

(5) 2000 Гбит/см²

Оцените минимальный размер элементов (в нм), которые можно сформировать с помощью фотолитографического процесса при применении: эксимерных лазеров на math

(

= 248)

124

Вычислите длину волны де Бройля (в нм) для электронов проводимости в металле при комнатной температуре. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

6,3

Рассчитайте потенциал (в мВ) открывания одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ( math

) и заданном напряжении между истоком и стоком ( math

При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*10⁴ МДП транзисторов/мм². Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 130 нм

(1) 4,7*10⁴ транзисторов/мм²

(2) 4,6*10⁴ транзисторов/мм²

(3) 4,5*10⁴ транзисторов/мм²

(4) 4,2*10⁴ транзисторов/мм²

(5) 4,1*10⁴ транзисторов/мм²

Одна ячейка наноэлектронной NOR флеш-памяти занимает площадь приблизительно math

. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 32 Мбита? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

0,34

Рассчитайте частоту собственных колебаний кантилевера из кремния и массу его чувствительной зоны, считая, что она составляет 25% длины. Размеры кантилевера заданы: длина 80 мкм; ширина 10 мкм; толщина 1 мкм

(1) 21 кГц и 466 пг

(2) 22 кГц и 466 пг

(3) 21 кГц и 469 пг

(4) 22 кГц и 468 пг

(5) 21 кГц и 468 пг

Начертите принципиальные электрические схемы логических элементов на полевых гетеротранзисторах с затвором Шоттки (ПГТЗШ): Схему инвертора

(1)

(2)

(3) >

Размер антенны радиолокатора в диапазоне супервысоких частот и выше должен в 30 раз превосходить длину радиоволны, на которой он работает, оцените размер антенны радиолокатора, который работает на частотах 3,62-3,75 ГГц. (ответ введите в метрах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

2,5

Рассчитайте, во сколько раз возрастает величина тока при уменьшении расстояния math

на 0,1 нм при условии, что работа выхода math

электронов из острия зонда составляет 0,5 эВ. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

1,44

Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/нормальный металл" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение math

удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 7. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

2,29

Оцените теоретически возможную плотность записи информации на магнитный диск, в котором магнитожесткий запоминающий слой сформирован в виде массива наностолбиков, если диаметр наностолбиков составляет 30 нм, а расстояние между ними 15 нм

(1) 1,14*10¹¹ бит/см²

(2) 1,16*10¹¹ бит/см²

(3) 1,18*10¹¹ бит/см²

Рассчитайте силу электрического тока в ферромагнетике, если он имеет степень поляризации math

и соответствующий ему магнитный спин-ток равен math

(1) 7,36 мА

(2) 64,7 мкА

(3) 104 мА

(4) 9,71 мА

(5) 254 мА

Определите, какую логическую функцию выполняет приведенная схема из двух спиновых вентилей СВ8. files

(1)

(2)

(3)

Оцените (в нм), с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если лазерный диод излучает свет на частоте 5,531*10¹⁴ Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние math

Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,067 math

в идеализированной квантовой плоскости, если ее ширина составляет 10 нм. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

56,2

Рассчитайте кулоновский потенциал (в мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ( math

) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон. math

Рассчитайте время задержки (в нс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора ( math

), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации ( math

) и длины межсоединения ( math

= 3,9;

= 100 нм;

= 120 нм;

= 2,66 мкОм*см; math

= 4 мм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

1,22

Одна ячейка наноэлектронной NAND флеш-памяти занимает площадь приблизительно 2800 нм². Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NAND флеш-памяти на 64 Мбита? Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.

0,188

Используя результаты предыдущего упражнения, оцените порог чувствительности сенсора на кантилевере, считая, что можно надежно фиксировать изменение частоты на 10 Гц, а частота изменяется по закону math

, где

– масса чувствительной зоны кантилевера, math

– масса частицы, которая к ней присоединилась. Размеры кантилевера заданы: длина 80 мкм; ширина 10 мкм; толщина 1 мкм

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

Начертите принципиальную электрическую схему или структуру полупроводникового инвертора с использованием двойного туннельного барьера с квантово-размерным промежуточным слоем (ДТБР): Схему инвертора на полевом гетеротранзисторе с затвором Шоттки (ПГТЗШ)

(1)

(2)

(3)

Скорость распространения поверхностной акустической волны (ПАВ) составляет 2860 м/с, рассчитайте максимальную частоту ПАВ (ГГц), если для изготовления встречно-штыревого преобразователя применяют технологию с проектно-технологической нормой 90 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

7,94

Какое увеличение требуется для того, чтобы на экране магнитно-силового микроскопа увидеть изображение отдельных магнитных наночастиц размером 5 нм?

200000

Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление туннельной магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/диэлектрик" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение math

удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 7, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов math

, а соотношение math

= 8. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

2,94

На рисунке показана оптимизированная структура ячейки магниторезистивного ОЗУ. 2? files

(1) подзатворный диэлектрик

(2) изолирующие слои из диэлектриков

(3) металлическая шина записи слова

Через пленочный проводник из намагниченного ферромагнетика протекает спин-поляризованный электрический ток math

, в котором составляющая math

, переносимая электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, в math

раз меньше составляющей math

, переносимой электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля. Рассчитайте степень поляризации этого тока и соответствующий ему магнитный спин-ток.

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

Какую логическую функцию реализует сеть наномагнитов, показанная на рисунке и каким будет выход math

(1)

(2)

(3)

(4)

Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 12 мкс, а на пластине размещается 100 СБИС? Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

53,3

Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,096 math

в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 6х10 нм.

148

Рассчитайте электрический потенциал (в мВ) наноостровка одноэлектронного транзистора с двумя затворами при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ( math

) и заданных напряжениях на затворах ( math

) и между истоком и стоком ( math

. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

36,4

Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм² площади СБИС, при известных значениях напряжения питания math

, среднего количества math

транзисторов на этой площади, тактовой частоты math

, суммарной электрической емкости math

, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте math

156

Периферийная электроника для обслуживания одного блока NAND флеш-памяти на 1024 бита состоит в среднем из 192 транзисторов. Оцените количество транзисторов на кристалле NAND флеш-памяти (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

1,25

Интеллектуальный наноэлектромеханический гироскоп-акселерометр обеспечивает временную стабильность положения оси ориентации math

от начального направления. Рассчитайте предельное отклонение его оси от начального направления при условиях: гироскоп находится на борту межпланетного космического корабля, приближающегося к Марсу спустя 9 месяцев после старта

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

На показана структура одного из участков приемного встречно-штыревого преобразователя в селекторе системы радиоидентификации багажа с фазоманипулированными сигналами. По аналогии с установите, на какой двоичный код "откликнется" соответствующий селектор. files

101011010

Какие размеры имеет изображение участка сканирования размером 7х7 нм при увеличении 300000х?

(1) 2,4 х 2,4 мм

(2) 2,2 х 2,2 мм

(3) 2,1 х 2,1 мм

(4) 2,0 х 2,0 мм

(5) 2,3 х 2,3 мм

Оцените плотность записи информации в магниторезистивном ОЗУ, в котором оптимизированная ячейка памяти имеет размеры: 1200 х 1150 нм

(1) 7,5*10⁷ бит/см²

(2) 7,6*10⁷ бит/см²

(3) 7,2*10⁷ бит/см²

Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром math

и высотой

. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный math

(

(1) 1,86*10^-14 Дж/Тл

(2) 4,55*10^-15 Дж/Тл

(3) 1,02*10^-15 Дж/Тл

(4) 1,37*10^-16 Дж/Тл

(5) 1,69*10^-17 Дж/Тл

Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры math

(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент math

на каждый атом этого элемента ( math

– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м³, а средняя масса атомов 106 а.е.м. math

(1) 2,79*10^-15 Дж/Тл

(2) 1,82*10^-15 Дж/Тл

(3) 9,38*10^-16 Дж/Тл

(4) 5,21*10^-16 Дж/Тл

(5) 2,48*10^-16 Дж/Тл

Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10^-6/ math

, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10^-6/ math

. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 125 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20 math

до 100

. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

2,1

Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,218 math

в идеализированной квантовой точке, если ее размеры составляют 6х8х10 нм.

Рассчитайте потенциалы открывания одноэлектронного транзистора для каждого из затворов при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ( math

) и заданном напряжении между истоком и стоком ( math

(1)

= 33,3 мВ

(2)

= 33 мВ

(3)

= 33,6 мВ

(4)

= 33,2 мВ

(5)

= 33,3 мВ

(6)

= 33,4 мВ

Начертите схему и кратко опишите работу фоточувствительной ячейки наноэлектронной КМДП матрицы. Рассчитайте, сколько тактов имеет последовательность видеоимпульсов, считанная с фоточувствительной КМДП матрицы размером 128 х 180 пикселей

23170

Одна ячейка наноэлектронной флеш-памяти с зарядовыми ловушками занимает площадь примерно 3200 нм². Площадь кристалла памяти в math

раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 64 Мбит при math

= 8? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

1,72

Рассчитайте величину электрического тока (пА), который протекает сквозь наноэлектромеханический транзистор, изображенный на рисунке, если известна частота его колебаний math

= 85 МГц

Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

13,6

Свет какой длины волны (нм) излучает светодиод, в гетероструктуре которого относительно узкозонная область выполнена из полупроводника: math

с шириной запрещенной зоны 1,91 эВ?

649

В оптическом микроскопе ближнего поля в режиме просачивания получили изображение стоячей плазмонной волны. Вычислите длину волны плазмонов (в нм), если расстояние между пучностями волны на изображении составляет 2 мм, увеличение 5000х.

800

На рисунке показана структура ячейки магниторезистивного ОЗУ с резонансным туннельным переходом. Какие функциональные элементы обозначены здесь указанными номерами? Какую функцию они выполняют? 1 и 11 files

(1) верхний и нижний электроды

(2) промежуточный слой

(3) нижний запоминающий слой

Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром math

и высотой

(

– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м³, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время math

(1) 1,55 мкВт/Тл

(2) 758 нВт/Тл

(3) 340 нВт/Тл

(4) 137 нВт/Тл

(5) 84,5 нВт/Тл

на каждый атом этого элемента ( math

,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время math

, а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна math

(1) 66,9 мА

(2) 65,4 мА

(3) 40,5 мА

(4) 44,9 мА

(5) 35,7 мА

Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол math

, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,5, а угол math

= 1

. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

28,6

Рассчитайте, сколько транзисторов (не учитывая блоки коммутации) имеет фоточувствительная наноэлектронная КМДП матрица: размером 128 х 180 пикселей

92160

Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм² в math

раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (тыс. кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 32 Мбита при math

= 8? (ответ укажите в тысячах).

179

Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром math

и высотой

(

– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м³, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-поляризованного электрического тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время 1 нс, если степень поляризации тока равна math

(1) 401 мА

(2) 131 мА

(3) 35 мА

(4) 5,9 мА

(5) 970 мкА

Каков сигнал на выходе магниторезистивного порогового вентиля при входах math

, если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение math

, а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что math

? Указано значение уставки math

(1) "0"

(2) "1"

С помощью зондового наноструктурирования задумали сформировать наноразмерное изображение эмблемы и названия фирмы. Для этого острием нанозонда СТМ надо переместить math

атомов и молекул. Сколько часов работы СТМ требуется для этого, если на перемещение одного атома (молекулы) и на контроль правильности перемещения в среднем затрачивается math

секунд?

= 10000;

= 5 c. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

13,9

На примере упрощенной "черно-белой" фоточувствительной КМДП матрицы размером 8 х 5 пикселей запишите ее выходной видеосигнал в случае, когда на нее проектируется следующее изображение: files

Для записи используйте следующее кодирование: "НК" - строб-импульс начала кадра, "С" - строб-импульс окончания строки, "КК" - строб-импульс конца кадра, "0" - сигнал от темного пикселя, "1" - сигнал от светлого пикселя.

НК01110C01110C01110C01110C00000C01110C01110C01110CКК

Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в math

раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхема из math

таких вентилей размещается на кристалле площадью math

= 10⁵;

= 6х6 мм² при math

= 10?

Вычислите длину волны де Бройля для электронов с энергией 1 кэВ. Ответ (в пм) введите с точностью до одного знака после запятой.

38,7

Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек math

, длина каждого бита на дорожке math

и расстояние между дорожками math

= 141 нм,

= 150 нм,

= 350 нм.

(1) 1,36*10⁹ бит/см²

(2) 1,38*10⁹ бит/см²

(3) 1,40*10⁹ бит/см²

(1) защитный слой, защищает рабочие слои от влияния внешней среды и от механических повреждений

(4) антиферромагнитный слой, нужен для магнитной развязки соседних противоположно намагниченных слоев

Рассчитайте степень поляризации электрического тока в ферромагнетике, если составляющая math

этого тока, переносимая электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля, в math

раз превышает составляющую math

этого тока, переносимую электронами со спином, ориентированным против магнитного поля.

(1) 33,3%

(2) 50%

(3) 66,7%

(4) 81,8%

(5) 89,5%

(1) 800 Мбит/см²

(2) 830 Мбит/см²

(3) 1660 Мбит/см²

(4) 2600 Мбит/см²

(5) 7400 Мбит/см²

Рассчитайте массу (в мкг) хрома в пленке толщиной 5 нм и площадью 4х6 см².

Вычислите относительное эффективное сечение взаимодействия наночастицы с электромагнитной волной на резонансной частоте, если радиус наночастицы 150 нм, длина волны math

= 600 нм, материал – серебро ( math

= –15;

= 0,9)

596

) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным. math

Какую логическую функцию выполняет приведенная на рисунке схема из КМДП логических элементов NOR и NAND? files

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

Сколько транзисторов входят в состав матрицы статической оперативной памяти на 64 кбита? (ответ укажите в тысячах).

393

Какая скорость преобразования аналоговых сигналов в цифровые коды с использованием АЦП конвейерного типа нужна: при считывании видеосигналов с 18-мегапиксельной фоточувствительной матрицы с частотой 60 кадров/с? (ответ укажите в миллиардах c точностью до 2-х знаков после запятой)

1,08

Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы math

при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости. math

(1) меньше 18 нм math

(2) меньше 19 нм math

(3) меньше 20 нм math

Каждые "завоеванные" дополнительные 10 ГГц частотного диапазона позволяют каждую секунду передавать/принимать дополнительно 1 Гбит информации. Через ЕHF канал радиосвязи информация передавалась на волне 1,75 мм. С помощью следующего поколения гетеротранзисторов удалось перейти на субмиллиметровую волну 857 мкм. На сколько Гбит/с выросла скорость передачи данных в этом канале? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

17,9

Вычислите длину волны де Бройля для протонов с энергией 100 кэВ. Ответ (в пм) введите с точностью до второго знака после запятой.

0,09

Представьте плотность записи информации на магнитный диск, заданную в единицах "бит/дюйм²", в единицах "бит/см²" или наоборот. 1,36*10⁹ бит/см².

(1) 8,7*10⁹ бит/дюйм²

(2) 8,9*10⁹ бит/дюйм²

(3) 8,77*10⁹ бит/дюйм²

(1) магнитные экраны, ослабляют влияние посторонних магнитных полей

(2) тонкое плечо магнитной записывающей головки, с помощью которого выполняется запись бита

(3) обмотка, магнитопровод индуктивной записывающей головки

(4) магниторезистивная считывающая головка

Во сколько раз составляющая math

(1) в 1,35 раза

(2) в 2,33 раза

(3) в 4 раза

(4) в 9 раз

(5) в 39 раз

, а длина каждого домена math

(1) 1 нс

(2) 750 пс

(3) 500 пс

(4) 360 пс

(5) 160 пс

Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества триметилалюминия, требуемую для химического осаждения пленки math

толщиной 20 нм и площадью 4х5 см² с использованием реакции

(CH_3)_3Al+AsH_3\rightarrow AlAs\downarrow+3CH_4\uparrow.

105

Вычислите коэффициент усиления напряженности электрического поля света в окрестности наночастицы на расстоянии 1 нм от ее поверхности в условиях локализованного плазмонного резонанса, если радиус наночастицы 150 нм, мнимая часть ее диэлектрической постоянной math

= 0,9, диэлектрическая постоянная среды math

= 3,7. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

12,3

) и заданных напряжениях на затворе ( math

) и между истоком и стоком ( math

). Будет ли происходить в этих условиях туннелирование электрона из истока на наноостровок? math

(1) 30 мВ; не будет

(2) 35 мВ; будет

(3) 40 мВ; не будет

(4) 30 мВ; будет

(5) 35 мВ; не будет

(6) 40 мВ; будет

(1)

130 тыс. лог. элементов/мм²

(2)

120 тыс. лог. элементов/мм²

(3)

140 тыс. лог. элементов/мм²

(4)

110 тыс. лог. элементов/мм²

(5)

100 тыс. лог. элементов/мм²

(6)

150 тыс. лог. элементов/мм²

Сколько транзисторов входят в состав матрицы динамической памяти на 256 кбит? (ответ укажите в тысячах).

262

Во сколько раз уменьшится частота собственных колебаний упругой микроэлектромеханической перекладины, если: ее толщину уменьшить в 1,5 раза, а длину увеличить в 1,2 раза? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

2,16

Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий math

в смешанных кристаллах math

от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: math

. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

1,57

Для передачи одного канала цифрового телевидения высокой четкости (HD канала) нужна полоса частот 125 МГц. С помощью наноэлектронных гетеротранзисторов максимальную частоту модуляции сигналов в волоконно-оптическом кабеле связи удалось повысить от 45 ГГц до 270 ГГц, и 20% дополнительного частотного диапазона выделили на передачу сигналов цифрового телевидения. Сколько HD каналов можно теперь дополнительно передавать по этому кабелю?

360

Какие размеры имеет изображение вирусов в растровом электронном микроскопе, если их натуральный размер составляет 20 нм, а увеличение равно 150000х? Ответ введите в мм.

Рассчитайте расстояние между магнитными дорожками (в нм), если известны длина каждого бита на дорожке math

= 450 нм, ширина магнитных дорожек math

= 780 нм и плотность записи информации на магнитный диск math

= 1,2*10⁹ бит/дюйм².

415

При использовании технологии локального нагрева участка записи последний проходит под лазерным нагревателем на протяжении короткого времени. Рассчитайте время (в нс) нагрева при условиях если скорость вращения магнитного диска составляет 5400 оборотов/мин., радиус магнитной дорожки 16 мм, а ширина лазерного пучка 720 нм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

79,6

Рассчитайте магнитный спин-ток, переносимый в ферромагнетике спин-поляризованным электрическим током math

со степенью поляризации math

(1) –46,4 нВт/Тл

(2) –1,04 мкВт/Тл

(3) –10,9 мкВт/Тл

(4) –27,8 мкВт/Тл

(5) –34,8 нВт/Тл

, длина доменов math

, а период их расположения в строках math

и в столбиках math

(1) 50 Гбит/см²

(2) 110 Гбит/см²

(3) 208 Гбит/см²

(4) 444 Гбит/см²

(5) 2000 Гбит/см²

(

= 197)

Вычислите длину волны де Бройля (в нм) для электронов проводимости в кремнии при температуре 150 math

С. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

5,2

) и заданном напряжении между истоком и стоком ( math

При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*10⁴ МДП транзисторов/мм². Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 90 нм

(1) 9,7*10⁴ транзисторов/мм²

(2) 9,8*10⁴ транзисторов/мм²

(3) 9,9*10⁴ транзисторов/мм²

(4) 9,5*10⁴ транзисторов/мм²

(5) 9,2*10⁴ транзисторов/мм²

Одна ячейка наноэлектронной NOR флеш-памяти занимает площадь приблизительно math

. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 64 Мбита? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

0,67

Рассчитайте частоту собственных колебаний кантилевера из кремния и массу его чувствительной зоны, считая, что она составляет 25% длины. Размеры кантилевера заданы: длина 25 мкм; ширина 3 мкм; толщина 600 нм

(1) 129 кГц и 26,2 пг

(2) 127 кГц и 26,2 пг

(3) 129 кГц и 26,5 пг

(4) 128 кГц и 26,2 пг

(5) 128 кГц и 26,5 пг

Начертите принципиальные электрические схемы логических элементов на полевых гетеротранзисторах с затвором Шоттки (ПГТЗШ): Схему элемента NOR на 2 входа

(1)

(2)

(3)

Размер антенны радиолокатора в диапазоне супервысоких частот и выше должен в 30 раз превосходить длину радиоволны, на которой он работает, оцените размер антенны радиолокатора, который работает на частотах 23,6-27,5 ГГц. (ответ введите в см).

Рассчитайте, во сколько раз возрастает величина тока при уменьшении расстояния math

на 0,1 нм при условии, что работа выхода math

электронов из острия зонда составляет 1,0 эВ. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

1,67

удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

4,02

Оцените теоретически возможную плотность записи информации на магнитный диск, в котором магнитожесткий запоминающий слой сформирован в виде массива наностолбиков, если диаметр наностолбиков составляет 25 нм, а расстояние между ними 10 нм

(1) 1,8*10¹¹ бит/см²

(2) 1,88*10¹¹ бит/см²

(3) 1,9*10¹¹ бит/см²

Рассчитайте силу электрического тока в ферромагнетике, если он имеет степень поляризации math

и соответствующий ему магнитный спин-ток равен math

(1) 7,36 мА

(2) 64,7 мкА

(3) 104 мА

(4) 9,71 мА

(5) 254 мА

Определите, какую логическую функцию выполняет приведенная схема из двух спиновых вентилей СВ8. files

(1)

(2)

(3)

Оцените (в нм), с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если лазерный диод излучает свет на частоте 5,972*10¹⁴ Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние math

Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,067 math

в идеализированной квантовой плоскости, если ее ширина составляет 5 нм.

225

) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон. math

Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора ( math

), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации ( math

) и длины межсоединения ( math

= 3,1;

= 70 нм;

= 100 нм;

= 2,66 мкОм*см; math

= 2 мм.

417

Одна ячейка наноэлектронной NAND флеш-памяти занимает площадь приблизительно 2800 нм². Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NAND флеш-памяти на 128 Мбит? Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.

0,376

, где

– масса чувствительной зоны кантилевера, math

– масса частицы, которая к ней присоединилась. Размеры кантилевера заданы: длина 25 мкм; ширина 3 мкм; толщина 600 нм

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

Начертите принципиальную электрическую схему или структуру полупроводникового инвертора с использованием двойного туннельного барьера с квантово-размерным промежуточным слоем (ДТБР): Структуру инвертора на полевом гетеротранзисторе с затвором Шоттки (ПГТЗШ)

(1)

(2)

(3)

Скорость распространения поверхностной акустической волны (ПАВ) составляет 2860 м/с, рассчитайте максимальную частоту ПАВ (ГГц), если для изготовления встречно-штыревого преобразователя применяют технологию с проектно-технологической нормой 64 нм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

11,2

Какое увеличение требуется для того, чтобы на экране магнитно-силового микроскопа увидеть изображение отдельных магнитных наночастиц размером 10 нм?

100000

удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов math

= 18, а соотношение math

= 12. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

4,94

На рисунке показана оптимизированная структура ячейки магниторезистивного ОЗУ. 3, 4, 8 и 13? files

(1) изолирующие слои из диэлектриков

(2) металлическая шина записи слова

(3) электрод стока, который соединяется с «землей»

, в котором составляющая math

, переносимая электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, в math

раз меньше составляющей math

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

акую логическую функцию реализует сеть наномагнитов, показанная на рисунке и каким будет выход math

(1)

(2)

(3)

(4)

Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 6,4 мкс, а на пластине размещается 144 СБИС?

Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,096 math

в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 3х5 нм.

593

) и заданных напряжениях на затворах ( math

) и между истоком и стоком ( math

. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

32,8

, среднего количества math

транзисторов на этой площади, тактовой частоты math

, суммарной электрической емкости math

, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте math

. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

94,5

4,98

от начального направления. Рассчитайте предельное отклонение его оси от начального направления при условиях: гироскоп находится на борту атомной подводной лодки после 15 месяцев автономного плавания

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

100011110

Какие размеры имеет изображение участка сканирования размером 7х7 нм при увеличении 600000х?

(1) 4 х 4 мм

(2) 4,2 х 4,2 мм

(3) 4,4 х 4,4 мм

(4) 4,3 х 4,3 мм

(5) 4,1 х 4,1 мм

Оцените плотность записи информации в магниторезистивном ОЗУ, в котором оптимизированная ячейка памяти имеет размеры: 960 х 880 нм

(1) 1,18*10⁸ бит/см²

(2) 1,21*10⁸ бит/см²

(3) 1,65*10⁸ бит/см²

Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром math

и высотой

(

(1) 1,86*10^-14 Дж/Тл

(2) 4,55*10^-15 Дж/Тл

(3) 1,02*10^-15 Дж/Тл

(4) 1,37*10^-16 Дж/Тл

(5) 1,69*10^-17 Дж/Тл

на каждый атом этого элемента ( math

(1) 2,79*10^-15 Дж/Тл

(2) 1,82*10^-15 Дж/Тл

(3) 9,38*10^-16 Дж/Тл

(4) 5,21*10^-16 Дж/Тл

(5) 2,48*10^-16 Дж/Тл

Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10^-6/ math

, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10^-6/ math

. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 150 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20 math

до 120

. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

3,15

Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,218 math

в идеализированной квантовой точке, если ее размеры составляют 4х5х8 нм.

204

) и заданном напряжении между истоком и стоком ( math

(1)

= 53,3 мВ; math

= 39 мВ

(2)

= 53,3 мВ; math

= 42 мВ

(3)

= 53,3 мВ; math

= 40 мВ

(4)

= 52,3 мВ; math

= 40 мВ

(5)

= 52,3 мВ; math

= 39 мВ

(6)

= 52,3 мВ; math

= 42 мВ

92418

раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 128 Мбит при math

= 7? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

3,01

= 230 МГц

Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

36,8

с шириной запрещенной зоны 2,08 эВ?

596

400

На рисунке показана структура ячейки магниторезистивного ОЗУ с резонансным туннельным переходом. Какие функциональные элементы обозначены здесь указанными номерами? 2, 3 и 4 files

(1) верхний запоминающий слой

(2) промежуточный слой

(3) нижний запоминающий слой

Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром math

нм и высотой math

(

(1) 1,55 мкВт/Тл

(2) 758 нВт/Тл

(3) 340 нВт/Тл

(4) 137 нВт/Тл

(5) 84,5 нВт/Тл

на каждый атом этого элемента ( math

(1) 66,9 мА

(2) 65,4 мА

(3) 40,5 мА

(4) 44,9 мА

(5) 35,7 мА

, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,56, а угол math

= 1,5

. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

21,4

Рассчитайте, сколько транзисторов (не учитывая блоки коммутации) имеет фоточувствительная наноэлектронная КМДП матрица: размером 256 х 360 пикселей

368640

Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм² в math

раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (тыс. кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 64 Мбита при math

= 7? (ответ укажите в тысячах).

102

Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром math

и высотой

(

– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м³, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-поляризованного электрического тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время 1 нс, если степень поляризации тока равна math

(1) 401 мА

(2) 131 мА

(3) 35 мА

(4) 5,9 мА

(5) 970 мкА

Каков сигнал на выходе магниторезистивного порогового вентиля при входах math

, если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение math

, а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что math

? Указано значение уставки math

(1) "0"

(2) "1"

секунд?

= 8400;

= 2,5 c. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

5,8

НК00000С01111С01111С01111С10000С01111С01111С00000СКК

Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в math

таких вентилей размещается на кристалле площадью math

= 5*10⁵;

= 7х7 мм² при math

= 8? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

12,3

Вычислите длину волны де Бройля для электронов с энергией 10 кэВ. Ответ (в пм) введите в виде целого числа.

Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек math

, длина каждого бита на дорожке math

и расстояние между дорожками math

= 90 нм,

= 100 нм,

= 254 нм.

(1) 2,31*10⁹ бит/см²

(2) 2,91*10⁹ бит/см²

(3) 2,8*10⁹ бит/см²

(1) магнитомягкие слои с противоположными направлениями горизонтальной намагниченности, через которые замыкаются магнитные потоки во время записи информации

(4) антиферромагнитный слой, нужен для магнитной развязки соседних противоположно намагниченных слоев

Рассчитайте степень поляризации электрического тока в ферромагнетике, если составляющая math

этого тока, переносимая электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля, в math

раз превышает составляющую math

этого тока, переносимую электронами со спином, ориентированным против магнитного поля.

(1) 33,3%

(2) 50%

(3) 66,7%

(4) 81,8%

(5) 89,5%

(1) 800 Мбит/см²

(2) 830 Мбит/см²

(3) 1660 Мбит/см²

(4) 2600 Мбит/см²

(5) 7400 Мбит/см²

Рассчитайте массу (в мкг) галлия в пленке math

толщиной 100 моноатомных слоев и площадью 25х25 мм².

Вычислите относительное эффективное сечение взаимодействия наночастицы с электромагнитной волной на резонансной частоте, если радиус наночастицы 200 нм, длина волны math

= 600 нм, материал – алюминий ( math

= –51;

= 17)

444

) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным. math

Какую логическую функцию выполняет приведенная на рисунке схема из КМДП логических элементов NOR и NAND? files

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

Сколько транзисторов входят в состав матрицы статической оперативной памяти на 256 кбит? (ответ укажите в тысячах).

1573

Какая скорость преобразования аналоговых сигналов в цифровые коды с использованием АЦП конвейерного типа нужна: для "оцифровки" в реальном времени радиосигналов с несущей частотой 46 МГц? (ответ укажите в миллионах)

Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы math

при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости. math

(1) меньше 19 нм math

(2) меньше 25 нм math

(3) меньше 29 нм math

Каждые "завоеванные" дополнительные 10 ГГц частотного диапазона позволяют каждую секунду передавать/принимать дополнительно 1 Гбит информации. Через ЕHF канал радиосвязи информация передавалась на волне 1,4 мм. С помощью следующего поколения гетеротранзисторов удалось перейти на более короткие радиоволны. При этом скорость передачи данных в канале возросла на 12 Гбит/с. На какую длину волны был переведен канал связи? (ответ введите в мкм).

897

Вычислите длину волны де Бройля для ионов бора с энергией 1 кэВ. Ответ (в пм) введите с точностью до второго знака после запятой.

0,28

Представьте плотность записи информации на магнитный диск, заданную в единицах "бит/дюйм²", в единицах "бит/см²" или наоборот. 1,36*10¹⁰ бит/дюйм².

(1) 2,1*10⁹ бит/см²

(2) 2,4*10⁹ бит/см²

(3) 2,5*10⁹ бит/см²

(1) магнитные экраны, ослабляют влияние посторонних магнитных полей

(2) тонкое плечо магнитной записывающей головки, с помощью которого выполняется запись бита

(3) обмотка, магнитопровод индуктивной записывающей головки

(4) магниторезистивная считывающая головка

Во сколько раз составляющая math

(1) в 1,35 раза

(2) в 2,33 раза

(3) в 4 раза

(4) в 9 раз

(5) в 39 раз

, а длина каждого домена math

(1) 1 нс

(2) 750 пс

(3) 500 пс

(4) 360 пс

(5) 160 пс

Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества гидрида мышьяка math

, требуемую для химического осаждения пленки math

толщиной 120 нм и площадью 4х6 см² с использованием реакции

(CH_3)_3Al+AsH_3\rightarrow AlAs\downarrow+3CH_4\uparrow.

824

Вычислите коэффициент усиления напряженности электрического поля света в окрестности наночастицы на расстоянии 1 нм от ее поверхности в условиях локализованного плазмонного резонанса, если радиус наночастицы 200 нм, мнимая часть ее диэлектрической постоянной math

= 1,3, диэлектрическая постоянная среды math

= 2,5. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

6,02

) и заданных напряжениях на затворе ( math

) и между истоком и стоком ( math

). Будет ли происходить в этих условиях туннелирование электрона из истока на наноостровок? math

(1) 24,4 мВ; не будет

(2) 24,6 мВ; не будет

(3) 24,2 мВ; не будет

(4) 24,4 мВ; будет

(5) 24,6 мВ; будет

(6) 24,2 мВ; будет

(1)

240 тыс. лог. элементов/мм²

(2)

200 тыс. лог. элементов/мм²

(3)

280 тыс. лог. элементов/мм²

(4)

210 тыс. лог. элементов/мм²

(5)

290 тыс. лог. элементов/мм²

(6)

300 тыс. лог. элементов/мм²

Сколько транзисторов входят в состав матрицы динамической памяти на 1 Мбит? (ответ укажите в тысячах).

1049

Во сколько раз уменьшится частота собственных колебаний упругой микроэлектромеханической перекладины, если: ее толщину уменьшить в 2,2 раза, а длину в 1,2 раза? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

1,53

Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий math

в смешанных кристаллах math

от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: math

. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

1,67

Для передачи одного канала цифрового телевидения высокой четкости (HD канала) нужна полоса частот 125 МГц. Благодаря использованию наноэлектронных гетеротранзисторов частоту трансляции спутникового телевидения удалось повысить так, что максимальная частота модуляции сигналов возросла от 6 ГГц до 26 ГГц. Сколько HD каналов можно теперь дополнительно транслировать через спутник, если на их трансляцию используют 15% дополнительной частотной полосы?

Какие размеры имеет изображение вирусов в растровом электронном микроскопе, если их натуральный размер составляет 80 нм, а увеличение равно 50000х? Ответ введите в мм.

Рассчитайте длину каждого бита на дорожке (в нм), если известны период расположения магнитных дорожек 645 нм и плотность записи информации на магнитный диск math

= 2,6*10⁹ бит/дюйм².

385

При использовании технологии локального нагрева участка записи последний проходит под лазерным нагревателем на протяжении короткого времени. Рассчитайте время (в нс) нагрева при условиях если скорость вращения магнитного диска составляет 7200 оборотов/мин., радиус магнитной дорожки 35 мм, а ширина лазерного пучка 850 нм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

32,2

Рассчитайте магнитный спин-ток, переносимый в ферромагнетике спин-поляризованным электрическим током math

со степенью поляризации math

(1) –46,4 нВт/Тл

(2) –1,04 мкВт/Тл

(3) –10,9 мкВт/Тл

(4) –27,8 мкВт/Тл

(5) –34,8 нВт/Тл

, длина доменов math

, а период их расположения в строках math

и в столбиках math

(1) 50 Гбит/см²

(2) 110 Гбит/см²

(3) 208 Гбит/см²

(4) 444 Гбит/см²

(5) 2000 Гбит/см²

(

= 157)

Вычислите длину волны де Бройля (в нм) для электронов проводимости в арсениде галлия при температуре 150 math

) и заданном напряжении между истоком и стоком ( math

. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

16,7

При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*10⁴ МДП транзисторов/мм². Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 64 нм

(1) 6*10⁵ транзисторов/мм²

(2) 2*10⁵ транзисторов/мм²

(3) 4*10⁵ транзисторов/мм²

(4) 5*10⁵ транзисторов/мм²

(5) 3*10⁵ транзисторов/мм²

Одна ячейка наноэлектронной NOR флеш-памяти занимает площадь приблизительно math

. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 128 Мбит? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

1,34

Рассчитайте частоту собственных колебаний кантилевера из кремния и массу его чувствительной зоны, считая, что она составляет 25% длины. Размеры кантилевера заданы: длина 10 мкм; ширина 1 мкм; толщина 300 нм

(1) 402 кГц и 1,75 пг

(2) 404 кГц и 1,75 пг

(3) 403 кГц и 5,75 пг

(4) 402 кГц и 5,75 пг

(5) 404 кГц и 5,75 пг

Начертите принципиальные электрические схемы логических элементов на полевых гетеротранзисторах с затвором Шоттки (ПГТЗШ): Схему элемента NOR на 3 входа

(1)

(2)

(3)

Размер антенны радиолокатора в диапазоне супервысоких частот и выше должен в 30 раз превосходить длину радиоволны, на которой он работает, оцените размер антенны радиолокатора, который работает на частотах 73,6-84,5 ГГц. (ответ введите в см).

Рассчитайте, во сколько раз возрастает величина тока при уменьшении расстояния math

на 0,1 нм при условии, что работа выхода math

электронов из острия зонда составляет 1,5 эВ. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

1,87

удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 21. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

5,76

Оцените теоретически возможную плотность записи информации на магнитный диск, в котором магнитожесткий запоминающий слой сформирован в виде массива наностолбиков, если диаметр наностолбиков составляет 19 нм, а расстояние между ними 6 нм

(1) 3,5*10¹¹ бит/см²

(2) 3,46*10¹¹ бит/см²

(3) 3,69*10¹¹ бит/см²

Рассчитайте силу электрического тока в ферромагнетике, если он имеет степень поляризации math

и соответствующий ему магнитный спин-ток равен math

(1) 7,36 мА

(2) 64,7 мкА

(3) 104 мА

(4) 9,71 мА

(5) 254 мА

Определите, какую логическую функцию выполняет приведенная схема из двух спиновых вентилей СВ8. files

(1)

(2)

(3)

Оцените (в нм), с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если лазерный диод излучает свет на частоте 6,604*10¹⁴ Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние math

Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,067 math

в идеализированной квантовой плоскости, если ее ширина составляет 2,5 нм.

899

) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон. math

), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации ( math

) и длины межсоединения ( math

= 3,9;

= 80 нм;

= 2,66 мкОм*см; math

= 1 мм.

144

Одна ячейка наноэлектронной NAND флеш-памяти занимает площадь приблизительно 2800 нм². Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NAND флеш-памяти на 256 Мбит? Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.

0,752

, где

– масса чувствительной зоны кантилевера, math

– масса частицы, которая к ней присоединилась. Размеры кантилевера заданы: длина 10 мкм; ширина 1 мкм; толщина 300 нм

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

Начертите принципиальную электрическую схему или структуру полупроводникового инвертора с использованием двойного туннельного барьера с квантово-размерным промежуточным слоем (ДТБР): Схему инвертора на биполярном гетеротранзисторе

(1)

(2)

(3)

Скорость распространения поверхностной акустической волны (ПАВ) составляет 2860 м/с, рассчитайте максимальную частоту ПАВ (ГГц), если для изготовления встречно-штыревого преобразователя применяют технологию с проектно-технологической нормой 45 нм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

15,9

Какое увеличение требуется для того, чтобы на экране магнитно-силового микроскопа увидеть изображение отдельных магнитных наночастиц размером 20 нм?

50000

= 20, а соотношение math

= 15. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

5,42

На рисунке показана оптимизированная структура ячейки магниторезистивного ОЗУ. 5 и 9? files

(1) электрод стока, который соединяется с "землей "

(2) металлическая шина записи слова

(3) проводник, соединяющий магниторезистивный элемент с истоком МДП транзистора

, в котором составляющая math

, переносимая электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, в math

раз меньше составляющей math

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

акую логическую функцию реализует сеть наномагнитов, показанная на рисунке и каким будет выход math

(1)

(2)

(3)

(4)

Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 3,2 мкс, а на пластине размещается 180 СБИС? Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

25,6

Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (эВ) с эффективной массой 0,096 math

в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 2х3 нм. Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.

1,416

) и заданных напряжениях на затворах ( math

) и между истоком и стоком ( math

. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

34,5

, среднего количества math

транзисторов на этой площади, тактовой частоты math

, суммарной электрической емкости math

, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте math

. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

35,2

Периферийная электроника для обслуживания одного блока NAND флеш-памяти на 1024 бита состоит в среднем из 192 транзисторов. Оцените количество транзисторов на кристалле NAND флеш-памяти (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

19,9

от начального направления. Рассчитайте предельное отклонение его оси от начального направления при условиях: гироскоп находится на борту межпланетного космического корабля, приближающегося к Венере спустя 7,5 месяцев после старта

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

101001110

Какие размеры имеет изображение участка сканирования размером 7х7 нм при увеличении 1200000х?

(1) 8,4 х 8,4 мм

(2) 8,2 х 8,2 мм

(3) 8,3 х 8,3 мм

(4) 8,1 х 8,1 мм

(5) 8,0 х 8,0 мм

Оцените плотность записи информации в магниторезистивном ОЗУ, в котором оптимизированная ячейка памяти имеет размеры: 780 х 720 нм

(1) 1,56*10⁸ бит/см²

(2) 1,78*10⁸ бит/см²

(3) 2,79*10⁸ бит/см²

Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром math

и высотой

(

(1) 1,86*10^-14 Дж/Тл

(2) 4,55*10^-15 Дж/Тл

(3) 1,02*10^-15 Дж/Тл

(4) 1,37*10^-16 Дж/Тл

(5) 1,69*10^-17 Дж/Тл

на каждый атом этого элемента ( math

(1) 2,79*10^-15 Дж/Тл

(2) 1,82*10^-15 Дж/Тл

(3) 9,38*10^-16 Дж/Тл

(4) 5,21*10^-16 Дж/Тл

(5) 2,48*10^-16 Дж/Тл

Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10^-6/ math

, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10^-6/ math

. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 175 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20 math

до 140

. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

6,4

Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,218 math

в идеализированной квантовой точке, если ее размеры составляют 3х4х6 нм.

348

) и заданном напряжении между истоком и стоком ( math

(1)

= 42 мВ;

= 33,3 мВ

(2)

= 40 мВ;

= 33,3 мВ

(3)

= 45 мВ;

= 33,3 мВ

(4)

= 40 мВ;

= 32,3 мВ

(5)

= 42 мВ;

= 32,3 мВ

(6)

= 45 мВ;

= 32,3 мВ

356866

раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 256 Мбит при math

= 6? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

5,15

= 650 МГц

104

с шириной запрещенной зоны 2,16 эВ?

574

200

На рисунке показана структура ячейки магниторезистивного ОЗУ с резонансным туннельным переходом. Какие функциональные элементы обозначены здесь указанными номерами? 5, 6 и 7 files

(1) верхний резонансный слой

(2) туннельный слой

(3) нижний резонансный слой

Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром math

и высотой

(

(1) 1,55 мкВт/Тл

(2) 758 нВт/Тл

(3) 340 нВт/Тл

(4) 137 нВт/Тл

(5) 84,5 нВт/Тл

на каждый атом этого элемента ( math

(1) 66,9 мА

(2) 65,4 мА

(3) 40,5 мА

(4) 44,9 мА

(5) 35,7 мА

, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,64, а угол math

= 2

. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

18,3

Рассчитайте, сколько транзисторов (не учитывая блоки коммутации) имеет фоточувствительная наноэлектронная КМДП матрица: размером 512 х 696 пикселей

1425408

Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм² в math

раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 128 Мбит при math

= 6?

59600

Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром math

и высотой

(

– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м³, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-поляризованного электрического тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время 1 нс, если степень поляризации тока равна math

(1) 401 мА

(2) 131 мА

(3) 35 мА

(4) 5,9 мА

(5) 970 мкА

Каков сигнал на выходе магниторезистивного порогового вентиля при входах math

, если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение math

, а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что math

? Указано значение уставки math

(1) "0"

(2) "1"

секунд?

= 16000;

= 3,25 c. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

14,4

НК00000С01111С01111С00001С01110С01110С01110С00000СКК

Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в math

таких вентилей размещается на кристалле площадью math

= 10⁶;

= 6х8 мм² при math

= 7,5? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

6,4

Вычислите длину волны де Бройля для электронов с энергией 100 кэВ. Ответ (в пм) введите с точностью до одного знака после запятой.

3,9

Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек math

, длина каждого бита на дорожке math

и расстояние между дорожками math

= 64 нм,

= 75 нм,

= 175 нм.

(1) 5,58*10⁹ бит/см²

(2) 5,5*10⁹ бит/см²

(3) 5,57*10⁹ бит/см²

(1) защитный слой, защищает рабочие слои от влияния внешней среды и от механических повреждений

(4) антиферромагнитный слой, нужен для магнитной развязки соседних противоположно намагниченных слоев

Рассчитайте степень поляризации электрического тока в ферромагнетике, если составляющая math

этого тока, переносимая электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля, в math

раз превышает составляющую math

этого тока, переносимую электронами со спином, ориентированным против магнитного поля.

(1) 33,3%

(2) 50%

(3) 66,7%

(4) 81,8%

(5) 89,5%

(1) 800 Мбит/см²

(2) 830 Мбит/см²

(3) 1660 Мбит/см²

(4) 2600 Мбит/см²

(5) 7400 Мбит/см²

Рассчитайте массу (в мкг) мышьяка в пленке math

толщиной 100 моноатомных слоев и площадью 25х25 мм².

Вычислите относительное эффективное сечение взаимодействия наночастицы с электромагнитной волной на резонансной частоте, если радиус наночастицы 70 нм, длина волны math

= 500 нм, материал – серебро ( math

= –9,5;

= 0,75)

172

) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным. math

Какую логическую функцию выполняет приведенная на рисунке схема из КМДП логических элементов NOR и NAND? files

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

Сколько транзисторов входят в состав матрицы статической оперативной памяти на 1 Мбит? (ответ укажите в тысячах).

6291

Какая скорость преобразования аналоговых сигналов в цифровые коды с использованием АЦП конвейерного типа нужна: для "оцифровки" в реальном времени радиосигналов с несущей частотой 400 МГц? (ответ укажите в миллионах)

800

Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы math

при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости. math

(1) меньше 35 нм math

(2) меньше 37 нм math

(3) меньше 39 нм math

Каждые "завоеванные" дополнительные 10 ГГц частотного диапазона позволяют каждую секунду передавать/принимать дополнительно 1 Гбит информации, С помощью биполярных гетеротранзисторов на основе фосфида индия скорость передачи данных в канале радиосвязи удалось повысить на 14 Гбит/с. На какой длине волны передается теперь информация, если раньше она передавалась на волне 1,525 мм? (ответ введите в мкм).

891

Вычислите длину волны де Бройля для ионов бора с энергией 100 кэВ. Ответ (в пм) введите с точностью до третьего знака после запятой.

0,028

Представьте плотность записи информации на магнитный диск, заданную в единицах "бит/дюйм²", в единицах "бит/см²" или наоборот. 5,58*10⁹ бит/см².

(1) 3,6*10¹⁰ бит/дюйм²

(2) 3,67*10¹⁰ бит/дюйм²

(3) 3,69*10¹⁰ бит/дюйм²

(1) магнитные экраны, ослабляют влияние посторонних магнитных полей

(2) тонкое плечо магнитной записывающей головки, с помощью которого выполняется запись бита

(3) обмотка, магнитопровод индуктивной записывающей головки

(4) магниторезистивная считывающая головка

Во сколько раз составляющая math

(1) в 1,35 раза

(2) в 2,33 раза

(3) в 4 раза

(4) в 9 раз

(5) в 39 раз

, а длина каждого домена math

(1) 1 нс

(2) 750 пс

(3) 500 пс

(4) 360 пс

(5) 160 пс

Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества гидрида мышьяка math

, требуемую для химического осаждения пленки math

толщиной 20 нм и площадью 4х5 см² с использованием реакции

(CH_3)_3Al+AsH_3\rightarrow AlAs\downarrow+3CH_4\uparrow.

114

Вычислите коэффициент усиления напряженности электрического поля света в окрестности наночастицы на расстоянии 1 нм от ее поверхности в условиях локализованного плазмонного резонанса, если радиус наночастицы 70 нм, мнимая часть ее диэлектрической постоянной math

= 1,3, диэлектрическая постоянная среды math

= 2,2. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

5,24

) и заданных напряжениях на затворе ( math

) и между истоком и стоком ( math

). Будет ли происходить в этих условиях туннелирование электрона из истока на наноостровок? math

(1) 15,8 мВ; будет

(2) 15,6 мВ; не будет

(3) 15,8 мВ; не будет

(4) 15,8 мВ; не будет

(5) 15,6 мВ; будет

(6) 15,8 мВ; будет

(1)

480 тыс. лог. элементов/мм²

(2)

500 тыс. лог. элементов/мм²

(3)

490 тыс. лог. элементов/мм²

(4)

400 тыс. лог. элементов/мм²

(5)

410 тыс. лог. элементов/мм²

(6)

420 тыс. лог. элементов/мм²

Сколько транзисторов входят в состав матрицы динамической памяти на 4 Мбита? (ответ укажите в тысячах).

4194

Во сколько раз возрастет частота собственных колебаний упругой микроэлектромеханической перекладины, если: ее толщину уменьшить в 2,5 раза, а длину в 2 раза? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

1,6

Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий math

в смешанных кристаллах math

от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: math

. Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.

1,758

Для передачи одного канала цифрового телевидения высокой четкости (HD канала) нужна полоса частот 125 МГц. Благодаря использованию наноэлектронных гетеротранзисторов через спутник стали дополнительно транслировать 40 HD каналов телевидения и одновременно на 8 Гбит/с повысили скорость передачи другой цифровой информации. На сколько ГГц выросла частота спутниковой связи, если считать, что максимальная частота модуляции составляет 20% от несущей частоты? (ответ введите в ГГц).

425

Какие размеры имеет изображение вирусов в растровом электронном микроскопе, если их натуральный размер составляет 125 нм, а увеличение равно 16000х? Ответ введите в мм.

Рассчитайте ширину магнитных дорожек (в нм), если известны длина каждого бита на дорожке math

= 254 нм, расстояние между магнитными дорожками = 180 нм и плотность записи информации на магнитный диск math

= 4,6*10⁹ бит/дюйм².

372

Рассчитайте магнитный спин-ток, переносимый в ферромагнетике спин-поляризованным электрическим током math

со степенью поляризации math

(1) –46,4 нВт/Тл

(2) –1,04 мкВт/Тл

(3) –10,9 мкВт/Тл

(4) –27,8 мкВт/Тл

(5) –34,8 нВт/Тл

, длина доменов math

, а период их расположения в строках math

и в столбиках math

(1) 50 Гбит/см²

(2) 110 Гбит/см²

(3) 208 Гбит/см²

(4) 444 Гбит/см²

(5) 2000 Гбит/см²

(

= 248) и иммерсионной жидкости с показателем преломления 1,4

Вычислите длину волны де Бройля (в нм) для электронов проводимости в кремнии при температуре 23 math

К. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

22,3

) и заданном напряжении между истоком и стоком ( math

. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

64,5

При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*10⁴ МДП транзисторов/мм². Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 45 нм

(1) 7*10⁵ транзисторов/мм²

(2) 5*10⁵ транзисторов/мм²

(3) 4*10⁵ транзисторов/мм²

(4) 6*10⁵ транзисторов/мм²

(5) 8*10⁵ транзисторов/мм²

Одна ячейка наноэлектронной NOR флеш-памяти занимает площадь приблизительно math

. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 256 Мбит? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

2,68

Рассчитайте частоту собственных колебаний кантилевера из кремния и массу его чувствительной зоны, считая, что она составляет 25% длины. Размеры кантилевера заданы: длина 5 мкм; ширина 650 нм; толщина 200 нм

(1) 1,07 МГц и 378 фг

(2) 1,07 МГц и 376 фг

(3) 1,08 МГц и 378 фг

(4) 1,08 МГц и 376 фг

(5) 1,06 МГц и 378 фг

Размер антенны радиолокатора в диапазоне супервысоких частот и выше должен в 30 раз превосходить длину радиоволны, на которой он работает, оцените размер антенны радиолокатора, который работает на частотах 136–141 ГГц. (ответ введите в см). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

6,6

Рассчитайте, во сколько раз возрастает величина тока при уменьшении расстояния math

на 0,1 нм при условии, что работа выхода math

электронов из острия зонда составляет 2,0 эВ. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

2,06

удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 28. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

7,51

Оцените теоретически возможную плотность записи информации на магнитный диск, в котором магнитожесткий запоминающий слой сформирован в виде массива наностолбиков, если диаметр наностолбиков составляет 12 нм, а расстояние между ними 5 нм

(1) 7,99*10¹¹ бит/см²

(2) 7,88*10¹¹ бит/см²

(3) 7,76*10¹¹ бит/см²

Рассчитайте силу электрического тока в ферромагнетике, если он имеет степень поляризации math

и соответствующий ему магнитный спин-ток равен math

(1) 7,36 мА

(2) 64,7 мкА

(3) 104 мА

(4) 9,71 мА

(5) 254 мА

Какая схема из двух спиновых вентилей СВ8, выполняет логическую функцию math

(1)

(2)

Оцените (в нм), с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если лазерный диод излучает свет на частоте 7,458*10¹⁴ Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние math

Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (эВ) с эффективной массой 0,067 math

в идеализированной квантовой плоскости, если ее ширина составляет 1,5 нм. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

2,5

) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон. math

), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации ( math

) и длины межсоединения ( math

= 3,1;

= 90 нм;

= 100 нм;

= 1,68 мкОм*см; math

= 200 мкм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

2,05

Одна ячейка наноэлектронной NAND флеш-памяти занимает площадь приблизительно 2800 нм². Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NAND флеш-памяти на 512 Мбит? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

1,5

, где

– масса чувствительной зоны кантилевера, math

– масса частицы, которая к ней присоединилась. Размеры кантилевера заданы: длина 5 мкм; ширина 650 нм; толщина 200 нм

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

Скорость распространения поверхностной акустической волны (ПАВ) составляет 2860 м/с, рассчитайте максимальную частоту ПАВ (ГГц), если для изготовления встречно-штыревого преобразователя применяют технологию с проектно-технологической нормой 32 нм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

22,3

Какое увеличение требуется для того, чтобы на экране магнитно-силового микроскопа увидеть изображение отдельных магнитных наночастиц размером 30 нм?

30000

= 22, а соотношение math

= 18. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

5,91

На рисунке показана оптимизированная структура ячейки магниторезистивного ОЗУ. 6 и 7? files

(1) магнитное "ложе" из "мягкого" феромагнетика для локализации магнитного поля, создаваемого электрическим током, текущим вдоль шины

(2) металлическая шина записи слова

(3) запоминающий слой ферромагнетика

, в котором составляющая math

, переносимая электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, в math

раз меньше составляющей math

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

акую логическую функцию реализует сеть наномагнитов, показанная на рисунке и каким будет выход math

(1)

(2)

(3)

(4)

Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 2,4 мкс, а на пластине размещается 240 СБИС?

25,6

Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (эВ) с эффективной массой 0,096 math

в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 1,5х2 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

2,72

) и заданных напряжениях на затворах ( math

) и между истоком и стоком ( math

, среднего количества math

транзисторов на этой площади, тактовой частоты math

, суммарной электрической емкости math

, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте math

100

Периферийная электроника для обслуживания одного блока NAND флеш-памяти на 1024 бита состоит в среднем из 192 транзисторов. Оцените количество транзисторов на кристалле NAND флеш-памяти (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

39,8

от начального направления. Рассчитайте предельное отклонение его оси от начального направления при условиях: гироскоп находится на борту межпланетного космического корабля, приближающегося к Юпитеру спустя 3,5 года после старта

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

010100101

На мониторе АСМ сформировано изображение участка образца размером 200х200 нм; размер изображения 120х120 мм; вычислите увеличение.

600000

Оцените плотность записи информации в магниторезистивном ОЗУ, в котором оптимизированная ячейка памяти имеет размеры: 640 х 560 нм

(1) 2,96*10⁸ бит/см²

(2) 2,79*10⁸ бит/см²

(3) 2,34*10⁸ бит/см²

Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром math

и высотой

(

(1) 1,86*10^-14 Дж/Тл

(2) 4,55*10^-15 Дж/Тл

(3) 1,02*10^-15 Дж/Тл

(4) 1,37*10^-16 Дж/Тл

(5) 1,69*10^-17 Дж/Тл

на каждый атом этого элемента ( math

(1) 2,79*10^-15 Дж/Тл

(2) 1,82*10^-15 Дж/Тл

(3) 9,38*10^-16 Дж/Тл

(4) 5,21*10^-16 Дж/Тл

(5) 2,48*10^-16 Дж/Тл

Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10^-6/ math

, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10^-6/ math

. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 200 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20 math

до 100

. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой. . Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

3,36

Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,218 math

в идеализированной квантовой точке, если ее размеры составляют 2х3х5 нм.

693

) и заданном напряжении между истоком и стоком ( math

(1)

= 54 мВ;

= 40 мВ

(2)

= 50 мВ;

= 40 мВ

(3)

= 58 мВ;

= 40 мВ

(4)

= 55 мВ;

= 42 мВ

(5)

= 56 мВ;

= 42 мВ

(6)

= 57 мВ;

= 42 мВ

1405954

раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 512 Мбит при math

= 5? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

8,59

= 1,8 ГГц

288

с шириной запрещенной зоны 2,26 эВ?

549

100

(1) верхний и нижний магнитожесткие слои

(2) туннельный слой

(3) нижний резонансный слой

Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром math

и высотой

(

(1) 1,55 мкВт/Тл

(2) 758 нВт/Тл

(3) 340 нВт/Тл

(4) 137 нВт/Тл

(5) 84,5 нВт/Тл

на каждый атом этого элемента ( math

(1) 66,9 мА

(2) 65,4 мА

(3) 40,5 мА

(4) 44,9 мА

(5) 35,7 мА

, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,54, а угол math

= 2,5

. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

12,4

Рассчитайте, сколько транзисторов (не учитывая блоки коммутации) имеет фоточувствительная наноэлектронная КМДП матрица: размером 1024 х 1372 пикселя

5619712

Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм² в math

раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 256 Мбит при math

= 5?

35760

Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром math

и высотой

(

– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м³, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-поляризованного электрического тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время 1 нс, если степень поляризации тока равна math

(1) 401 мА

(2) 131 мА

(3) 35 мА

(4) 5,9 мА

(5) 970 мкА

Каков сигнал на выходе магниторезистивного порогового вентиля при входах math

, если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение math

, а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что math

? Указано значение уставки math

(1) "0"

(2) "1"

секунд?

= 36000;

= 1,75 c. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

17,5

НК01110С01110С01110С01110С01100С01010С00110С01110СКК

Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в math

таких вентилей размещается на кристалле площадью math

= 3*10⁶;

= 8х8 мм² при math

= 7? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

3,05

Вычислите длину волны де Бройля для электронов с энергией 1 МэВ. Ответ (в пм) введите с точностью до одного знака после запятой.

1,2

Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек math

, длина каждого бита на дорожке math

и расстояние между дорожками math

= 45 нм,

= 54 нм,

= 127 нм.

(1) 1,8*10¹⁰ бит/см²

(2) 1,08*10¹⁰ бит/см²

(3) 1,12*10¹⁰ бит/см²

Рассчитайте степень поляризации электрического тока в ферромагнетике, если составляющая math

этого тока, переносимая электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля, в math

раз превышает составляющую math

этого тока, переносимую электронами со спином, ориентированным против магнитного поля.

(1) 33,3%

(2) 50%

(3) 66,7%

(4) 81,8%

(5) 89,5%

(1) 800 Мбит/см²

(2) 830 Мбит/см²

(3) 1660 Мбит/см²

(4) 2600 Мбит/см²

(5) 7400 Мбит/см²

Рассчитайте массу алюминия в пленке math

толщиной 60 моноатомных слоев и площадью 25х25 мм² при молярном соотношении галлия и алюминия 2:1.

(1) около 4 мкг

(2) около 3 мкг

(3) около 6 мкг

(4) около 5 мкг

(5) около 7 мкг

= 600 нм, материал – золото ( math

= –12;

= 1,3)

182

) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным. math

Какую логическую функцию выполняет приведенная на рисунке схема из КМДП логических элементов NOR и NAND? files

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

Сколько транзисторов входят в состав матрицы статической оперативной памяти на 4 Мбита? (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

25,2

Какая скорость преобразования аналоговых сигналов в цифровые коды с использованием АЦП конвейерного типа нужна: при считывании сигналов в спектроанализаторе с верхней предельной частотой 160 МГц? (ответ укажите в миллионах)

800

Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы math

при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости. math

(1) меньше 54 нм math

(2) меньше 56 нм math

(3) меньше 58 нм math

Каждые "завоеванные" дополнительные 10 ГГц частотного диапазона позволяют каждую секунду передавать/принимать дополнительно 1 Гбит информации. С помощью следующего поколения наноэлектронных гетеротранзисторов скорость передачи данных в канале радиосвязи удалось увеличить на 16 Гбит/с. На какой длине волны передавалась раньше информация, если теперь она передается на волне 925 мкм? (ответ введите в мм). Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.

1,826

Вычислите длину волны де Бройля для ионов фосфора с энергией 1 кэВ. Ответ (в пм) введите с точностью до второго знака после запятой.

0,16

Представьте плотность записи информации на магнитный диск, заданную в единицах "бит/дюйм²", в единицах "бит/см²" или наоборот. 4,6*10¹⁰ бит/дюйм².

(1) 7,12*10⁹ бит/см²

(2) 7,13*10⁹ бит/см²

(3) 7,34*10⁹ бит/см²

(1) основа магнитного диска, магнитомягкие слои, через которые замыкается магнитный поток, 9 – магнитожесткий слой, в котором записана и сохраняется информация

(2) магнитные экраны, ослабляют влияние посторонних магнитных полей

(3) тонкое плечо магнитной записывающей головки, с помощью которого выполняется запись бита

(4) обмотка, магнитопровод индуктивной записывающей головки

Во сколько раз составляющая math

(1) в 1,35 раза

(2) в 2,33 раза

(3) в 4 раза

(4) в 9 раз

(5) в 39 раз

, а длина каждого домена math

(1) 1 нс

(2) 750 пс

(3) 500 пс

(4) 360 пс

(5) 160 пс

Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества триметилиндия, требуемую для химического осаждения пленки math

толщиной 50 нм и площадью 3х4 см² с использованием реакции

(CH_3)_3In+AsH_3\rightarrow InAs\downarrow+3CH_4\uparrow.

287

= 0,9, диэлектрическая постоянная среды math

= 4,2. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

13,7

) и заданных напряжениях на затворе ( math

) и между истоком и стоком ( math

). Будет ли происходить в этих условиях туннелирование электрона из истока на наноостровок? math

(1) 24 мВ; не будет

(2) 24 мВ; будет

(3) 26 мВ; будет

(4) 26 мВ; не будет

(5) 28 мВ; не будет

(6) 28 мВ; будет

(1)

980 тыс. лог. элементов/мм²

(2)

970 тыс. лог. элементов/мм²

(3)

960 тыс. лог. элементов/мм²

(4)

920 тыс. лог. элементов/мм²

(5)

910 тыс. лог. элементов/мм²

(6)

930 тыс. лог. элементов/мм²

Сколько транзисторов входят в состав матрицы динамической памяти на 16 Мбит? (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

16,8

Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий math

в смешанных кристаллах math

от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: math

. Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.

1,858

Какие размеры имеет изображение вирусов в растровом электронном микроскопе, если их натуральный размер составляет 100 нм, а увеличение равно 45000х? Ответ введите в мм с точностью до одного знака после запятой.

4,5

При использовании технологии локального нагрева участка записи последний проходит под лазерным нагревателем на протяжении короткого времени. Рассчитайте время (в нс) нагрева при условиях если скорость вращения магнитного диска составляет 10000 оборотов/мин., радиус магнитной дорожки 14 мм, а ширина лазерного пучка 950 нм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

64,8

Рассчитайте магнитный спин-ток, переносимый в ферромагнетике спин-поляризованным электрическим током math

со степенью поляризации math

(1) –46,4 нВт/Тл

(2) –1,04 мкВт/Тл

(3) –10,9 мкВт/Тл

(4) –27,8 мкВт/Тл

(5) –34,8 нВт/Тл

, длина доменов math

, а период их расположения в строках math

и в столбиках math

(1) 50 Гбит/см²

(2) 110 Гбит/см²

(3) 208 Гбит/см²

(4) 444 Гбит/см²

(5) 2000 Гбит/см²

Оцените минимальный размер элементов (в нм), которые можно сформировать с помощью фотолитографического процесса при применении: экстремального ультрафиолетового света с длиной волны 44

Вычислите длину волны де Бройля (в нм) для электронов проводимости в металле при температуре 4 math

К. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

53,5

) и заданном напряжении между истоком и стоком ( math

При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*10⁴ МДП транзисторов/мм². Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 32 нм

(1) 7,8*10⁵ транзисторов/мм²

(2) 7,6*10⁵ транзисторов/мм²

(3) 7,5*10⁵ транзисторов/мм²

(4) 7,4*10⁵ транзисторов/мм²

(5) 7,9*10⁵ транзисторов/мм²

Одна ячейка наноэлектронной NOR флеш-памяти занимает площадь приблизительно math

. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 512 Мбит? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

5,37

Рассчитайте частоту собственных колебаний кантилевера из кремния и массу его чувствительной зоны, считая, что она составляет 25% длины. Размеры кантилевера заданы: длина 3 мкм; ширина 400 нм; толщина 100 нм

(1) 1,49 МГц и 70 фг

(2) 1,48 МГц и 70 фг

(3) 1,46 МГц и 72 фг

(4) 1,49 МГц и 72 фг

(5) 1,48 МГц и 72 фг

Размер антенны радиолокатора в диапазоне супервысоких частот и выше должен в 30 раз превосходить длину радиоволны, на которой он работает, оцените размер антенны радиолокатора, который работает на частотах 302–305 ГГц. (ответ введите в см).

Рассчитайте, во сколько раз возрастает величина тока при уменьшении расстояния math

на 0,1 нм при условии, что работа выхода math

электронов из острия зонда составляет 3,0 эВ. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

2,43

удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 35. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

9,26

Оцените теоретически возможную плотность записи информации на магнитный диск, в котором магнитожесткий запоминающий слой сформирован в виде массива наностолбиков, если диаметр наностолбиков составляет 7 нм, а расстояние между ними 3,5 нм

(1) 2,09*10¹² бит/см²

(2) 2,9*10¹² бит/см²

(3) 2,8*10¹² бит/см²

Рассчитайте силу электрического тока в ферромагнетике, если он имеет степень поляризации math

и соответствующий ему магнитный спин-ток равен math

(1) 7,36 мА

(2) 64,7 мкА

(3) 104 мА

(4) 9,71 мА

(5) 254 мА

Какая схема из двух спиновых вентилей СВ8, выполняет логическую функцию math

(1)

(2)

Оцените, с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если: лазерный диод излучает свет на частоте 7,973*10¹⁴ Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние math

Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (эВ) с эффективной массой 0,067 math

в идеализированной квантовой плоскости, если ее ширина составляет 1,0 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

5,62

) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон. math

), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации ( math

) и длины межсоединения ( math

= 25;

= 40 нм;

= 80 нм;

= 1,68 мкОм*см; math

= 100 мкм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

11,6

Одна ячейка наноэлектронной NAND флеш-памяти занимает площадь приблизительно 2800 нм². Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NAND флеш-памяти на 1 Гбит?

, где

– масса чувствительной зоны кантилевера, math

– масса частицы, которая к ней присоединилась. Размеры кантилевера заданы: длина 3 мкм; ширина 400 нм; толщина 100 нм

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

Скорость распространения поверхностной акустической волны (ПАВ) составляет 2860 м/с, рассчитайте максимальную частоту ПАВ (ГГц), если для изготовления встречно-штыревого преобразователя применяют технологию с проектно-технологической нормой 22 нм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

32,5

Какое увеличение требуется для того, чтобы на экране магнитно-силового микроскопа увидеть изображение отдельных магнитных наночастиц размером 50 нм?

20000

= 24, а соотношение math

= 25. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

6,27

На рисунке показана оптимизированная структура ячейки магниторезистивного ОЗУ. 10-12, 14 и 15? files

(1) антиферромагнитные слои с постоянной намагниченностью и промежуточный слой между ними

(2) пленка изолятора, которая образует туннельный переход магниторезистивного элемента

(3) запоминающий слой ферромагнетика

, в котором составляющая math

, переносимая электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, в math

раз меньше составляющей math

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

акую логическую функцию реализует сеть наномагнитов, показанная на рисунке и каким будет выход math

(1)

(2)

(3)

(4)

Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 1,2 мкс, а на пластине вмещается 400 СБИС? Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

21,3

Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (эВ) с эффективной массой 0,096 math

в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 1х1,5 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

5,66

) и заданных напряжениях на затворах ( math

) и между истоком и стоком ( math

. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

53,3

, среднего количества math

транзисторов на этой площади, тактовой частоты math

, суммарной электрической емкости math

, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте math

. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

11,3

Периферийная электроника для обслуживания одного блока NAND флеш-памяти на 1024 бита состоит в среднем из 192 транзисторов. Оцените количество транзисторов на кристалле NAND флеш-памяти (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

79,7

от начального направления. Рассчитайте предельное отклонение его оси от начального направления при условиях: гироскоп находится на борту межконтинентальной баллистической ракеты, которая летит со скоростью 6 км/с и преодолевает расстояние 6600 км. Рассчитайте также предельное отклонение ракеты от цели, связанное с возможным отклонением оси ориентации

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

011100001

На мониторе АСМ сформировано изображение участка образца размером 120х180 нм; размер изображения 60х90 мм; вычислите увеличение.

500000

Оцените плотность записи информации в магниторезистивном ОЗУ, в котором оптимизированная ячейка памяти имеет размеры: 540 х 480 нм

(1) 3,86*10⁸ бит/см²

(2) 2,79*10⁸ бит/см²

(3) 3,79*10⁸ бит/см²

Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром math

и высотой

(

(1) 1,86*10^-14 Дж/Тл

(2) 4,55*10^-15 Дж/Тл

(3) 1,02*10^-15 Дж/Тл

(4) 1,37*10^-16 Дж/Тл

(5) 1,69*10^-17 Дж/Тл

на каждый атом этого элемента ( math

(1) 2,79*10^-15 Дж/Тл

(2) 1,82*10^-15 Дж/Тл

(3) 9,38*10^-16 Дж/Тл

(4) 5,21*10^-16 Дж/Тл

(5) 2,48*10^-16 Дж/Тл

Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10^-6/ math

, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10^-6/ math

до 100

. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

2,94

Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (эВ) с эффективной массой 0,218 math

в идеализированной квантовой точке, если ее размеры составляют 1х2х3 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

2,35

) и заданном напряжении между истоком и стоком ( math

(1)

= 100 мВ;

= 66,7 мВ

(2)

= 100 мВ;

= 66 мВ

(3)

= 100 мВ;

= 64 мВ

(4)

= 120 мВ;

= 66,7 мВ

(5)

= 120 мВ;

= 66 мВ

(6)

= 120 мВ;

= 64 мВ

3141122

раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 1 Гбит при math

= 4? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

13,7

= 5 ГГц

800

с шириной запрещенной зоны 4,83 эВ?

257

Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром math

и высотой

(

(1) 1,55 мкВт/Тл

(2) 758 нВт/Тл

(3) 340 нВт/Тл

(4) 137 нВт/Тл

(5) 84,5 нВт/Тл

на каждый атом этого элемента ( math

(1) 66,9 мА

(2) 65,4 мА

(3) 40,5 мА

(4) 44,9 мА

(5) 35,7 мА

, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,38, а угол math

= 40? Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

32,6

Рассчитайте, сколько транзисторов (не учитывая блоки коммутации) имеет фоточувствительная наноэлектронная КМДП матрица: размером 1536 х 2044 пикселя

12558336

Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм² в math

раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 512 Мбит при math

= 4?

22350

Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром math

и высотой

(

– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м³, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-поляризованного электрического тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время 1 нс, если степень поляризации тока равна math